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FMUSER Original nuevo BLF245 transistor de potencia RF de alta frecuencia transistor MOSFET de alta potencia

Original Nuevo BLF245 Transistor de potencia de RF de alta frecuencia de alta frecuencia MOSFET de alta potencia Transistor D-MOS vertical de modo de mejora de canal N de silicio diseñado para aplicaciones de amplificador de señal grande en el rango de frecuencia VHF. El transistor está encapsulado en un paquete de brida SOT4A de 123 derivaciones, con una tapa de cerámica. Todos los cables están aislados de la brida. Los grupos de voltaje de puerta-fuente combinados (VGS) están disponibles a pedido. Características y ventajas: Alta ganancia de potencia Menor nivel de ruido Fácil control de potencia Buena estabilidad térmica Soporta un desajuste a plena carga

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Precio (dólares americanos) Cantidad (PCS) Envío (USD) Total (USD) Método de Envío Pago
69 1 0 69 Correo aéreo

 


Nueva original  BLF245 MOSFET de alta potencia de alta frecuencia de alta frecuencia del transistor de potencia de RF


Modo de enriquecimiento de canal N de silicio verticales transistor MOS-D diseñado para grandes aplicaciones de amplificadores de señal en el rango de frecuencias VHF. El transistor se encapsula en un paquete de plomo-4 brida SOT123A, con un casquillo de cerámica. Todos los cables están aislados de la brida. Tensión de puerta-fuente Igualados (VGS) grupos están disponibles bajo petición.


Características y Beneficios:
De alta ganancia de potencia
Baja figura de ruido
Control de potencia Fácil
Buena estabilidad térmica
Resiste desajuste plena carga




 

 

Precio (dólares americanos) Cantidad (PCS) Envío (USD) Total (USD) Método de Envío Pago
69 1 0 69 Correo aéreo

 

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