Pronunciada MAWS-feht. Acrónimo de metal-óxido semiconductor transistor de efecto de campo. Estos se utilizan en muchos escenarios en los que desea convertir voltajes. En la placa base, por ejemplo, para generar voltaje de la CPU, voltaje de la memoria, AGP Voltaje etc.

Mosfets se utilizan generalmente en pares. Si ve seis MOSFETs alrededor de su zócalo de la CPU que tiene la energía trifásica.

Información técnica
MOSFETs son de cuatro tipos diferentes. Pueden ser de mejora o el modo de agotamiento, y pueden ser de canal n o p-canal. Para esta aplicación sólo estamos interesados en los MOSFET de canal n en modo de enriquecimiento, y éstos serán los únicos hablado de ahora en adelante. También hay MOSFET de nivel lógico y MOSFETs normales. La única diferencia entre ellos es el nivel de tensión requerido en la puerta.

A diferencia de los transistores bipolares que son básicamente dispositivos de guiado de corriente, MOSFETs son dispositivos de potencia controlados por voltaje. Si no se aplica un voltaje positivo entre la puerta y la fuente del MOSFET es siempre no conductora. Si se aplica una tensión positiva UGS a la puerta configuraremos un campo electrostático entre ella y el resto del transistor. La tensión de puerta positivo alejar los "agujeros" en el interior del sustrato de tipo p y atrae los electrones móviles en las regiones de tipo n bajo los electrodos de fuente y drenaje. Esto produce una capa aislante de poco menos de la puerta por la que los electrones pueden entrar y moverse a lo largo de la fuente al drenaje. La tensión de puerta positivo, por tanto, "crea" un canal en la capa superior de material entre el óxido y p-Si. El aumento del valor de la tensión de puerta positivo empuja los agujeros de tipo p más lejos y aumenta el espesor de la canal creado. Como resultado se encuentra que el tamaño del canal que hemos hecho aumenta con el tamaño de la tensión de puerta y mejora o aumenta la cantidad de corriente que puede ir desde la fuente al drenaje es por esto que este tipo de transistor se llama una mejora dispositivo en modo.

las pruebas MOSFET

Obtener un multímetro con una gama de prueba de diodos.

Conectar el medidor negativo a la fuente del MOSFET.
Mantenga el MOSFET de la caja o en la ficha si lo desea, no importa si toca el cuerpo de metal, pero tenga cuidado de no tocar los cables hasta que necesite. NO permita que un MOSFET entre en contacto con la ropa, de plástico o de materias plásticas, etc., debido a los altos voltajes estáticos que puede generar.
En primer toque el contador positivo en la puerta.
Ahora mueva la sonda metros positivo para el desagüe. Usted debe obtener una lectura baja. capacitancia de la puerta del MOSFET ha sido acusado por el medidor y el dispositivo está encendido.

Con el medidor positivo sigue conectado al drenaje, toque de un dedo entre la fuente y la puerta (y drene si lo desea, no importa). La puerta se descargará a través de su dedo y la lectura del medidor debe ir de alta, lo que indica un dispositivo no conductores.

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