FMUSER Original Nuevo MRF6VP2600H Transistor de potencia RF MOSFET Transistor 500MHz 600W Lateral de canal N Banda ancha Transistor-RF-FMUSER Transmisión FM / TV de una sola parada Proveedor

FMUSER Original Nuevo MRF6VP2600H Transistor de potencia RF Transistor MOSFET 500MHz 600W Lateral N-Channel Broadband Descripción general El MRF6VP2600H está diseñado principalmente para aplicaciones de banda ancha con frecuencias de hasta 500 MHz. El dispositivo es incomparable y es adecuado para su uso en aplicaciones de transmisión. Características * Rendimiento típico de DVB-T OFDM: VDD = 50 Voltios, IDQ = 2600 mA, Pout = 125 Watts Avg., F = 225 MHz, Channel Bandwidth = 7.61 MHz, Input Signal PAR = 9.3 dB @ 0.01% Probability en CCDF. Ganancia de potencia: 25 dB Eficiencia de drenaje: 28.5% ACPR a 4 MHz Desplazamiento: –61 dBc a 4 kHz de ancho de banda * Rendimiento pulsado típico: VDD = 50 Voltios, IDQ = 2600 mA, Pout = 600 Watts Pico, f = 225 MHz, Ancho de pulso = 100

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Precio (dólares americanos)	Cantidad (PCS)	Envío (USD)	Total (USD)	Método de Envío	Pago
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FMUSER Original Nuevo MRF6VP2600H Transistor de potencia de RF Transistor MOSFET 500MHz 600W Lateral N-Channel Banda ancha

General

El MRF6VP2600H está diseñado principalmente para aplicaciones de banda ancha con frecuencias de hasta 500 MHz. El dispositivo no tiene igual y es adecuado para su uso en aplicaciones de transmisión.

Caracteristicas

* Rendimiento típico de DVB-T OFDM: VDD = 50 Voltios, IDQ = 2600 mA, Pout = 125 Watts Promedio, f = 225 MHz, Ancho de banda de canal = 7.61 MHz, Señal de entrada PAR = 9.3 dB @ 0.01% de probabilidad en CCDF. : 25 dB Eficiencia de drenaje: 28.5% ACPR a 4 MHz Desplazamiento: –61 dBc a 4 kHz de ancho de banda

* Rendimiento pulsado típico: VDD = 50 Voltios, IDQ = 2600 mA, Pout = 600 Watts Peak, f = 225 MHz, Ancho de pulso = 100 µseg, Ciclo de trabajo = 20% Ganancia de potencia: 25.3 dB Eficiencia de drenaje: 59%

* Capaz de manejar 10: 1 VSWR, @ 50 Vdc, 225 MHz, 600 Watts Peak Peak, ancho de pulso = 100 µsec, ciclo de trabajo = 20%

* Caracterizado con parámetros equivalentes de impedancia de señal grande en serie

* Capacidad de operación de CW con enfriamiento adecuado

* Operación calificada hasta un máximo de 50 VDD

* Integrado Protección ESD

* Diseñado para la operación Push-Pull

* Mayor rango de voltaje negativo de puerta-fuente para operación mejorada de clase C

* RoHS

* En cinta y carrete. Sufijo R6 = 150 Unidades por 56 mm, carrete 13 pulgadas.

Especificaciones

Frecuencia (Min) (MHz): 2

Frecuencia (Max) (MHz): 500

Voltaje de alimentación (tipo) (V): 50

P1dB (Typ) (dBm): 57.8

P1dB (Typ) (W): 600

Potencia de salida (tipo) (W) @ Nivel de intermodulación en la señal de prueba: 125.0 @ AVG

Señal de prueba: OFDM

Ganancia de potencia (tipo) (dB) @ f (MHz): 25.0 @ 225

Eficiencia (tipo) (%): 28.5

Resistencia térmica (espec.) (℃ / W): 0.2

A juego: incomparable

Clase: ab

Tecnología de matrices: LDMOS

Precio (dólares americanos)	Cantidad (PCS)	Envío (USD)	Total (USD)	Método de Envío	Pago
245	1	35	280	DHL
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