El FMUSER SD2941-10 HF / VHF / UHF MOSFET originales Efecto de campo MOS de canal N Banda ancha Potencia de RF Transistor de efecto de campo Transistor de RF-FMUSER Transmisión de FM / TV Proveedor único

El FMUSER SD2941-10 HF / VHF / UHF MOSFET originales MOS de canal N Efecto de campo de banda ancha Transistor de efecto de campo de potencia de RF de banda ancha

El FMUSER Original SD2941-10 MOSFET de HF / VHF / UHF MOSFET de canal N con efecto de campo MOS de banda ancha Transistor de efecto de campo de potencia de RF Descripción El SD2941-10 es un transistor de potencia de RF de efecto de campo MOS de canal N metalizado en oro, diseñado para su uso en Aplicaciones de gran señal de 28 V a 50 V CC hasta 230 MHz. Ofrece un RDS (encendido) un 25% más bajo que el estándar de la industria, con un PSAT un 20% más alto que el dispositivo SD2931-10 de ST. El SD2941-10 está alojado en el paquete sin pedestal M174 de baja temperatura, que ofrece una resistencia térmica un 25% menor que el estándar de la industria, lo que lo convierte en el transistor "mejor en su clase" para aplicaciones ISM, donde la confiabilidad y la robustez son factores críticos. . Especifica

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El original FMUSER SD2941-10 MOSFET HF / VHF / UHF de canal N Efecto de campo MOS Banda Ancha Efecto de campo de potencia RF Transistor

Descripción
El SD2941-10 es un canal N metalizado en oro Transistor de potencia RF de efecto de campo MOS, destinado a utilizar en aplicaciones de señal grande de 28 V a 50 V CC hasta a 230 MHz. Ofrece un 25% menos de RDS (activado) que el estándar de la industria, con un 20% más de PSAT que Dispositivo SD2931-10 de ST. El SD2941-10 es alojado en el pedestal de baja temperatura M174 paquete, que ofrece un 25% menos de resistencia térmica que el estándar de la industria, lo que lo convierte en el transistor "mejor en su clase" para aplicaciones ISM, donde la fiabilidad y la robustez son críticas factor.

Especificaciones

● Categoría de producto: Transistores RF MOSFET
● Polaridad del transistor: canal N
● Id - Corriente continua de drenaje: 20 A
● Vds - Tensión de ruptura de la fuente de drenaje: 130 V
● Ganancia: 15.8 dB
● Potencia de salida: 175 W
● Temperatura mínima de funcionamiento: - 65 C
● Temperatura máxima de funcionamiento: + 150 C
● Estilo de montaje: SMD / SMT
● Paquete / Estuche: M174
● Embalaje: Bulk
● Configuración: individual
● Altura: 7.11 mm
● Longitud: 24.89 mm
● Frecuencia de operación: 230 MHz
● Serie: SD2941
● Tipo: MOSFET de potencia de RF
● Ancho: 12.83 mm
● Transconductancia directa - Mín .: 6 S
● Modo de canal: mejora
● Pd - Disipación de potencia: 389 W
● Tipo de producto: Transistores RF MOSFET
● Cantidad de paquete de fábrica: 25
● Subcategoría: MOSFET
● Vgs - Voltaje de fuente de puerta: 20 V

Caracteristicas
● Metalización de oro
● Excelente estabilidad térmica
● Configuración de fuente común
● POUT = 175 W min. con ganancia de 15 dB @ 175
MHz, 50 V
● POUT = 135 W típ. con ganancia de 14 dB a 123 MHz,
28 V
● RDS bajo (activado)
● Embalaje mejorado térmicamente para menor
● temperaturas de unión
● De conformidad con el 2002/95 / EC1 europeo
Directivas