FMUSER 1pcs Original nuevo MRF317 RF TRANSISTOR, BROADBAND RF POWER TRANSISTOR-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop Proveedor

FMUSER 1pcs Original Nuevo MRF317 RF TRANSISTOR, TRANSISTOR DE POTENCIA DE BANDA ANCHA RF Descripción: Diseñado principalmente para etapas de amplificador de salida de señal grande de banda ancha en un rango de frecuencia de 30 MHz. Rendimiento garantizado a 200 MHz, 150 V CC Potencia de salida 28 W Ganancia mínima = 100 dB Red de adaptación incorporada para operación de banda ancha 9.0% probada para detectar discrepancias de carga en todos los ángulos de fase con 100: 30 VSWR Sistema de metalización Gold para alta confiabilidad Alta potencia de saturación de salida Idealmente adecuado para servicio de amplificador AM portador / 1 W pico Rendimiento garantizado en dispositivo de prueba de banda ancha CLASIFICACIONES MÁXIMAS Colector de clasificación Emisor Colector de voltaje Emisor de voltaje de base Corriente de colector de voltaje de base Pico de corriente de colector continuo (120 segundos

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FMUSER 1pcs Original nuevo MRF317 RF TRANSISTOR, TRANSISTOR DE POTENCIA DE BANDA ANCHA RF

Descripción:
Diseñado principalmente para etapas de amplificador de salida de señal grande de banda ancha en un rango de frecuencia de 30 MHz. Rendimiento garantizado a 200 MHz, 150 V CC Potencia de salida 28 W Ganancia mínima = 100 dB Red de adaptación incorporada para operación de banda ancha 9.0% probada para detectar discrepancias de carga en todos los ángulos de fase con 100: 30 VSWR Sistema de metalización de oro para alta confiabilidad Alta potencia de saturación de salida Idealmente adecuado para portadora / servicio de amplificador AM pico de 1 W Rendimiento garantizado en dispositivos de prueba de banda ancha CLASIFICACIONES MÁXIMAS
Valor nominal Colector Emisor Voltaje colector Voltaje base Emisor Voltaje base Colector Corriente colector continuo Pico de corriente (10 segundos) Disipación total del dispositivo 25 ° C (1) Reducción de potencia por encima de 25 ° C Símbolo de rango de temperatura de almacenamiento VCEO VCBO VEBO IC PD Tstg Valor a +150 Unidad Vcc Adc Watts W / ° C ° C
Resistencia térmica característica, unión al símbolo de la caja RJC máx. 0.65 unidad ° C / W

Presupuesto:
●Atributo del producto Valor de atributo Buscar similares
●Fabricante: FMUSER
●Categoria de nuestros producto: Transistores bipolares de RF
● Marca: FMUSER
●Marca: Transistores bipolares de RF

●Subcategoría: Transistores

Caracteristicas:
●CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS: (TC = 25 ° C a menos que se indique lo contrario).
●Ganancia de potencia del amplificador de emisor común: (VCC = 28 Vdc, Pout = 150 MHz, IC (Max) = 6.5 Adc)
●Eficiencia del colector: (VCC = 28 Vdc, Pout = 150 MHz, IC (Max) = 6.5 Adc) Falta de coincidencia de carga (VCC = 28 Vdc, Pout 100 W CW, = 150 MHz, VSWR = 30: 1 todos los ángulos de fase)
●GPE Sin degradación en la potencia de salida dB%