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Transistor RF original 1 Uds MRF275G
Transistor de RF original MRF1G de 275 pieza Descripción Diseñado principalmente para salidas de señal grande de banda ancha y etapas de controlador de 100 a 500 MHz. CARACTERÍSTICAS ● Diseñado principalmente para etapas de salida lineales de gran señal de hasta 150 MHz ● IMD de orden superior superior ● IMD (d3) (150 W PEP): –32 dB (típico) ● IMD (d11) (150 W PEP): –60 dB (típico .) ● Características especificadas de 50V, 30MHz ● Potencia de salida = 150 Watts ● Ganancia de potencia = 17 dB (típ.) ● Eficiencia = 45% (típ.) ● 100% probado para desajuste de carga en todos los ángulos de fase El paquete incluye 1x MRF275G RF Transistor
Detail
| Precio (dólares americanos) | Cantidad (PCS) | Envío (USD) | Total (USD) | Método de Envío | Pago |
| 128 | 1 | 0 | 128 | correo aéreo |
1 PCS MRF275G transistor de RF original
Descripción
Diseñado principalmente para salida de señal grande de banda ancha y etapas de controlador de 100 a 500 MHz.
●Diseñado principalmente para etapas de salida lineales de gran señal de hasta 150 MHz
●IMD de orden superior superior
●IMD (d3) (150 W PEP): –32dB (típico)
●IMD (d11) (150 W PEP): –60dB (típico)
●Características especificadas de 50 V, 30 MHz
●Potencia de salida = 150 Watts
●Ganancia de potencia = 17 dB (típico)
●Eficiencia = 45% (típico)
●100% probado para detectar discrepancias de carga en todos los ángulos de fase
Paquete inciude
1x transistor RF MRF275G
| Precio (dólares americanos) | Cantidad (PCS) | Envío (USD) | Total (USD) | Método de Envío | Pago |
| 128 | 1 | 0 | 128 | correo aéreo |
