FMUSER Original Nuevo MRF171A RF Transistor de potencia Power MOSFET-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast Proveedor todo en uno

FMUSER Original Nuevo MRF171A RF Transistor de potencia Transistor MOSFET de potencia Descripción Diseñado principalmente para salidas de señal grande de banda ancha y etapas de controlador de 30 a 200 MHz. Características ● MOSFET en modo de mejora de canal N ● Excelente estabilidad térmica adecuada para la operación Cass A ● Rendimiento garantizado a 150 MHz, 28 V CC: Potencia de salida = 45 W, ● Ganancia de potencia = 17 dB (min) 'Eficiencia = 60% (min) ● Datos típicos para aplicaciones de amplificadores de potencia en equipos de radio industriales, ● comerciales y aficionados: ● Rendimiento típico a 30 MHz, 28 V CC: potencia de salida = 30 W, ● ganancia de potencia = 20 dB (típica) (PEP), eficiencia = 50 % (típico), IMD (d3) (30 W PEP) –32 dB (

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FMUSER Original Nuevo MRF171A MOSFET de potencia de transistor de potencia RF Transistor

Descripción

Diseñado principalmente para salida y controlador de señal grande de banda ancha etapas de 30-200 MHz.

Caracteristicas

●MOSFET de modo de mejora de canal N
●Excelente estabilidad térmica adecuada para la operación Cass A
●Rendimiento garantizado a 150 MHz, 28 V CC: Potencia de salida = 45 W,
●Ganancia de potencia = 17 dB (min) 'Eficiencia = 60% (min)
●Datos típicos para aplicaciones de amplificadores de potencia en industrias,

●Equipo de radio comercial y aficionado:

●Rendimiento típico a 30 MHz, 28 V CC: potencia de salida = 30 W, potencia

●ganancia = 20 dB (típico) (PEP), eficiencia = 50% (típico), IMD (d3) (30 W PEP) –32 dB (típico)
●Metal superior dorado
●Crss baja - 8 pF @ VDS = 28 V
●100% probado para detectar discrepancias de carga en todos los ángulos de fase con VSWR 30: 1
●Facilita técnicas de modulación, ALC y control de ganancia manual