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FMUSER Original nuevo MRFE6VP61K25H transistor de potencia RF transistor MOSFET de alta potencia LDMOS para transmisor FM de 1000 w
FMUSER NXP MRFE6VP61K25H Transistor de RF LDMOS para transmisor 1000w FM
Detail
Precio (dólares americanos) | Cantidad (PCS) | Envío (USD) | Total (USD) | Método de Envío | Pago |
250 | 1 | 30 | 280 | DHL |
FMUSER Original nuevo MRFE6VP61K25H transistor de potencia RF transistor MOSFET de alta potencia LDMOS para transmisor FM de 1000 w
MRFE6VP61K25H: 1.8-600 MHz, 1250 W CW, 50 V Wideband RF Power Transistores LDMOS
Resumen:
Estos dispositivos de alta robustez, MRFE6VP61K25H, MRFE6VP61K25HS y MRFE6VP61K25GS, están diseñados para utilizarse en aplicaciones VSWR industriales (incluidos los excitadores láser y de plasma), broadcast (analógica y digital), aeroespacial y radio / terrestre. Son diseños de entrada y salida sin igual que permiten una amplia utilización del rango de frecuencia, entre 1.8 y 600 MHz.
Características:
Incomparable entrada y salida que permite la utilización de rango de frecuencia amplia
El dispositivo se puede usar de terminación única o en una configuración push-pull
Calificado hasta un máximo de la operación 50 VDD
Caracterizado desde 30 V a 50 V para rango de potencia extendida
Adecuado para aplicaciones lineales con polarización adecuada
Protección ESD integrada con mayor rango negativo de voltaje de la fuente de la compuerta para una mejor operación clase C
Caracterizado con parámetros de impedancia de señal grande equivalente de la serie
RoHS
En cinta y carrete. Sufijo R6 = Unidades 150, ancho de cinta 56 mm, carrete 13-inch.
Estos productos están incluidos en nuestro programa de longevidad de productos con suministro garantizado durante un mínimo de 15 años después del lanzamiento.
El paquete incluye:
1* MRFE6VP61K25H RF Transistor
Precio (dólares americanos) | Cantidad (PCS) | Envío (USD) | Total (USD) | Método de Envío | Pago |
250 | 1 | 30 | 280 | DHL |