FMUSER Original Nuevo SD2931-11 Transistor de potencia RF Alta ganancia de potencia 20V MOSFET Transistor-Transistor RF-FMUSER FM / TV Broadcast Proveedor único

FMUSER Original nuevo SD2931-11 RF Transistor de potencia Transistor MOSFET de ganancia de alta potencia de 20 V Descripción: El SD2931-11 es un transistor de potencia RF de efecto de campo MOS de canal N metalizado en oro. Al ser eléctricamente idéntico al MOSFET estándar SD2931, está diseñado para su uso en aplicaciones de señales grandes de 50 V CC hasta 230 MHz. El SD2931-11 es compatible mecánicamente con el SD2931 pero ofrece además una mejor capacidad térmica (25% menos de resistencia térmica), lo que representa los mejores transistores de su clase para aplicaciones ISM, donde la confiabilidad y la robustez son factores críticos. Características: * Metalización de oro * Excelente estabilidad térmica * Fuente común

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FMUSER Original Nuevo SD2931-11 Transistor de potencia RF Transistor de alta potencia 20V MOSFET Transistor

Descripción:
El SD2931-11 es un canal N metalizado en oro Transistor de potencia RF de efecto de campo MOS. Siendo eléctricamente idéntico al SD2931 estándar MOSFET, está diseñado para usarse en 50 V dc large aplicaciones de señal hasta 230 MHz. El SD2931-11 es compatible mecánicamente con el SD2931 pero ofrece además una mejor térmica capacidad (25% menor resistencia térmica), representando los mejores transistores de su clase para ISM aplicaciones, donde la fiabilidad y la robustez son Factores críticos.

Características:
* Metalización de oro
* Excelente estabilidad térmica
* Configuración de fuente común
* POUT = 150 W min. con ganancia 14 dB @ 175MHz
* Embalaje mejorado térmicamente para menor
* temperaturas de unión
* Clasificación de GFS y VGS marcada en la unidad

Speciafication:

* Serie: SD2931
* Categoría de producto: Transistores RF MOSFET
* Polaridad del transistor: canal N
* Tecnología: Si
* Id - Corriente de drenaje continua: 20 A
* Vds - Voltaje de ruptura de la fuente de drenaje: 125 V
* Ganancia: 15 dB
* Potencia de salida: 150 W
* Temperatura mínima de funcionamiento: - 65 C
* Temperatura máxima de funcionamiento: + 200 C
* Estilo de Montaje: Montaje con Tornillo
* Embalaje: Bulk
* Configuración: fuente dual única
* Altura: 7.11 mm (Máx.)
* Longitud: 24.89 mm (Máx.)
* Frecuencia de operación: 230 MHz
* Ancho: 12.83 mm (Máx.)
* Modo de canal: Mejora
* Pd - Disipación de energía: 389 W
* Vgs - Voltaje de fuente de puerta: 20 V