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FMUSER Original Nuevo MRFE6VP5600H Transistor de potencia RF Transistor MOSFET de potencia para transmisor FM 600w
FMUSER Original Nuevo MRFE6VP5600H RF Transistor de potencia Transistor MOSFET de potencia para transmisor FM de 600w Descripción general: Estos dispositivos de alta resistencia, MRFE6VP5600HR6 y MRFE6VP5600HSR6, están diseñados para su uso en industrias de alta VSWR (incluidos excitadores de láser y plasma), transmisión (analógica y digital), aeroespacial y aplicaciones móviles de radio / tierra. Son diseños de entrada y salida inigualables que permiten una amplia gama de frecuencias de utilización, entre 1.8 y 600 MHz. Características: * Entrada y salida incomparables que permiten una amplia gama de frecuencias de uso. * El dispositivo se puede utilizar de un solo extremo o en una configuración push-pull. * Calificado hasta un máximo de 50 VDD de operación. * Personaje
Detail
| Precio (dólares americanos) | Cantidad (PCS) | Envío (USD) | Total (USD) | Método de Envío | Pago |
| 265 | 1 | 35 | 300 | DHL |
FMUSER Original Nuevo MRFE6VP5600H Transistor de potencia RF Transistor MOSFET de potencia para transmisor FM 600w
Resumen:
Estos dispositivos de alta resistencia, MRFE6VP5600HR6 y MRFE6VP5600HSR6, están diseñados para su uso en aplicaciones industriales de alta VSWR (incluidos excitadores láser y de plasma), transmisión (analógica y digital), aeroespacial y radio / terrestre. Son diseños de entrada y salida inigualables que permiten una amplia utilización del rango de frecuencia, entre 1.8 y 600 MHz.
Características:
* Entrada y salida inigualables que permiten una amplia utilización del rango de frecuencia.
* El dispositivo se puede usar con un solo extremo o en una configuración Push-Pull.
* Calificado hasta un máximom de 50 VDD Operación.
* Caracterizado de 30 V a 50 V para rango de potencia extendido.
* Adecuado para aplicación lineal con polarización adecuada.
* Protección ESD integrada con mayor rango de voltaje negativo de fuente de puerta para una operación mejorada de clase C.
* Caracterizado con parámetros de impedancia de señal grande equivalentes en serie.
* RoHS.
* En cinta y carrete. Sufijo R6 = Unidades 150, Ancho de cinta 56 mm, Carrete de pulgadas 13.
* Estos productos están incluidos en nuestro programa de longevidad de productos con suministro garantizado durante un mínimo de 15 años después del lanzamiento.
Parámetros clave:
|
Frecuencia (Min) (MHz) |
1.8 |
|
Frecuencia (Máx.) (MHz) |
600 |
|
Voltaje de suministro (típico) (V) |
50 |
|
P1dB (típico) (dBm) |
57.8 |
|
P1dB (tipo) (W) |
600 |
|
Potencia de salida (Typ) (W) @ Nivel de intermodulación en la señal de prueba |
600.0 en sentido horario |
|
Señal de prueba |
1 TONO |
|
Ganancia de potencia (Typ) (dB) @ f (MHz) |
24.6 230 @ |
|
Eficiencia (Typ) (%) |
75.2 |
|
Resistencia Térmica (Spec) (℃ / W) |
0.12 |
|
Clase |
AB |
|
Coincidencia de |
sin par |
|
Morir tecnología |
LDMOS |
Tabla de rendimiento de RF:
Banda estrecha de 230 MHz
Rendimiento típico: VDD = 50 voltios, IDQ = 100 mA
|
Tipo de señal |
Pout (W) |
f(MHz) |
GPS (dB) |
ηD (%) |
vida real (dB) |
|
Pulso (100 µsec, ciclo de trabajo del 20%) |
600 pico |
230 |
25.0 |
74.6 | -18 |
| CW |
600 prom. |
230 | 24.6 | 75.2 | -17 |
El paquete incluye:
1*Transistor de potencia RF MRFE6VP5600H
| Precio (dólares americanos) | Cantidad (PCS) | Envío (USD) | Total (USD) | Método de Envío | Pago |
| 265 | 1 | 35 | 300 | DHL |
