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FMUSER Original nuevo RD30HVF1 transistor de potencia RF de silicio transistor MOSFET de potencia para transmisor FM CZE-T251 25w
Original nuevo RD30HVF1 Transistor de potencia RF de silicio Transistor MOSFET de potencia para transmisor FM CZE-T251 25w DESCRIPCIÓN: RD30HVF1 es un transistor tipo MOS FET diseñado específicamente para aplicaciones de amplificadores de potencia VHF RF. CARACTERÍSTICAS: * Alta ganancia de potencia: * Pout> 30W, Gp> 14.7dB @ Vdd = 12.5V, f = 175MHz * Alta eficiencia: 60% típ. APLICACIÓN: Para etapa de salida de amplificadores de alta potencia en radios móviles de banda VHF. El paquete incluye: 1 * RD30HVF1
Detail
FMUSER ha mejorado el diseño del panel de todas las series de la serie CZE FU, estad atentos para más actualizaciones!
| Precio (dólares americanos) | Cantidad (PCS) | Envío (USD) | Total (USD) | Método de envío | Pagos |
| 41 | 1 | 8 | 49 | envío del correo aéreo |
Original nuevo RD30HVF1 transistor de potencia RF de silicio transistor MOSFET de potencia para transmisor FM CZE-T251 25w
DESCRIPCIÓN:
RD30HVF1 es un tipo de transistor MOS FET específicamente diseñado para VHF RF amplificadores de potencia aplicaciones.
CARACTERISTICAS:
* Ganancia de alta potencia:
* PAC> 30W, Gp> 14.7dB @ Vdd = 12.5V, f = 175MHz
* Alta eficiencia: 60% típ.
APPLICACIÓN:
Para la etapa de salida de los amplificadores de alta potencia en la banda de VHF Aparatos de radio móviles.
El paquete incluye:
1 * RD30HVF1
FMUSER ha mejorado el diseño del panel de todas las series de la serie CZE FU, estad atentos para más actualizaciones!
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