Agregar favorito Página de conjunto
Puesto:Inicio >> Productos >> RF Transistor

CATEGORÍAS DE PRODUCTOS

productos Etiquetas

Sitios FMUSER

FMUSER Original Nuevo SD2942 N-Channel 350W Salida RF Transistor de potencia Transistores RF MOSFET Transistor RF

FMUSER Original Nuevo SD2942 N-Channel 350W Salida RF Transistor de potencia Transistores MOSFET de RF Transistor de RF Descripción El SD2942 es un transistor de potencia de RF de efecto de campo MOS de canal N metalizado en oro. El SD2942 ofrece un RDS (ON) un 25% más bajo que el estándar de la industria y un 20% más de saturación de energía que el ST SD2932. Estas características hacen que el SD2942 sea ideal para aplicaciones de 50 V CC de muy alta potencia hasta 250 MHz. Características ● Metalización de oro ● Excelente estabilidad térmica ● Configuración push-pull de fuente común ● POUT = 350 W mín. con ganancia de 15 dB a 175 MHz ● RDS bajo (activado) Especificaciones Atributo del producto Valor del atributo RoHS:

Detail

Precio (dólares americanos) Cantidad (PCS) Envío (USD) Total (USD) Método de Envío Pago
340 1 0 340 DHL

 


FMUSER Original Nuevo SD2942 N-Channel 350W Salida RF Transistor de potencia Transistores RF MOSFET Transistor RF


Descripción
El SD2942 es un MOS de canal N metalizado en oro Transistor de potencia RF de efecto de campo. El SD2942 ofrece un 25% menos de RDS (ON) que el estándar de la industria y un 20% más de saturación de energía que ST SD2932. Estas características hacen que el SD2942 ideal para aplicaciones de muy alta potencia de 50 V CC a 250 MHz.



Caracteristicas
● metalización de oro
Excelente estabilidad térmica
Fuente común configuración push-pull
POUT = 350 W min. con ganancia de 15 dB @ 175 MHz
RDS bajo (activado)


Especificaciones


Atributo del producto
Valor de atributo
RoHS:
Y
Embalaje:
Bandeja
Configuración:
Individual
Tecnología
Si
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Tipo:
MOSFET de potencia de RF
Marca:
Transistores RF MOSFET
Categoria de nuestros producto:
Transistores RF MOSFET
Polaridad del transistor:
Canal N
Subcategoría:
MOSFET
Pd - Disipación de energía:
500 W
Id - Corriente continua de drenaje:
40A
Vgs - Voltaje de fuente de puerta:
4 V
Potencia de salida:
350 W
Frecuencia de operación:
250 MHz
Ganancia:
15 dB
Vds - Tensión de ruptura de la fuente de drenaje:
130 V
Temperatura de funcionamiento mínima:
- 65C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 200C


 

 

Precio (dólares americanos) Cantidad (PCS) Envío (USD) Total (USD) Método de Envío Pago
340 1 0 340 DHL

 

Deja un mensaje 

Nombre *
Correo electrónico *
Teléfono
Dirección
Código Ver el código de verificación? Haga clic en Actualizar!
Mensaje
 

Lista de mensajes

Comentarios Loading ...
Inicio| Sobre Nosotros| Productos| Noticias| Descargar| Soporte| Comentarios| Contáctenos| Service

Contacto: Zoey Zhang Web: www.fmuser.net

Whatsapp / Wechat: +86 183 1924 4009

Skype: tomleequan Correo electrónico: [email protected] 

Facebook: FMUSERBROADCAST Youtube: ZOEY FMUSER

Dirección en inglés: Room305, HuiLanGe, No.273 HuangPu Road West, TianHe District., GuangZhou, China, 510620 Dirección en chino: 广州市天河区黄埔大道西273号惠兰阁305(3E)