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FMUSER Original Nuevo SD2932 Transistor de potencia RF Transistor MOSFET de alta potencia 50V
FMUSER Original Nuevo SD2932 RF Transistor de potencia Alta potencia de ganancia 50 V Características del transistor MOSFET ● Metalización de oro ● Excelente estabilidad térmica ● Configuración de fuente común push-pull ● POUT = 300 W mín. con ganancia de 15 dB a 175 MHz Descripción El FMUSER SD2932 es un transistor de potencia de RF de efecto de campo MOS de canal N metalizado en oro con excelente estabilidad térmica que se utiliza para aplicaciones de señales grandes de 50 V CC hasta 250 MHz. Especificación: ● Categoría de producto: Transistores RF MOSFET ● Polaridad del transistor: Canal N ● Id - Corriente de drenaje continuo: 40 A ● Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente: 125 V ● Ganancia: 15 dB ● Potencia de salida: 300 W ● Operación mínima Temperatura: - 65 C ● Temperatura máxima de funcionamiento: + 150 C ● Estilo de montaje: SMD / SMT
Detail
Precio (dólares americanos) | Cantidad (PCS) | Envío (USD) | Total (USD) | Método de Envío | Pago |
199 | 1 | 0 | 199 | DHL |
FMUSER Original Nuevo SD2932 Transistor de potencia RF Transistor MOSFET de alta potencia 50V
Fcaracterísticas
●Metalización de oro●Excelente estabilidad térmica
●Fuente común configuración push-pull
●POUT = 300 W min. con ganancia de 15 dB @ 175
MHz
El FMUSER SD2932 es un transistor de potencia de RF de efecto de campo MOS de canal N metalizado en oro con excelente estabilidad térmica que se utiliza para aplicaciones de señales grandes de 50 V CC hasta 250 MHz.
Speciafication:
●Categoría de producto: Transistores RF MOSFET●Polaridad del transistor: canal N
●Id - Corriente continua de drenaje: 40 A
●Vds - Tensión de ruptura de la fuente de drenaje: 125 V
●Ganancia: 15 dB
●Potencia de salida: 300 W
●Temperatura mínima de funcionamiento: - 65 C
●Temperatura máxima de funcionamiento: + 150 C
●Estilo de montaje: SMD / SMT
●Paquete / Estuche: M244
●Embalaje: bandeja
●Configuración: individual
●Frecuencia de operación: 250 MHz
●Tipo: MOSFET de potencia de RF
●Pd - Disipación de potencia: 500 W
●Tipo de producto: Transistores RF MOSFET
●Subcategoría: MOSFET
●Vgs - Voltaje de fuente de puerta: 5 V
Precio (dólares americanos) | Cantidad (PCS) | Envío (USD) | Total (USD) | Método de Envío | Pago |
199 | 1 | 0 | 199 | DHL |