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FMUSER Original BLF888A 600W 50V UHF Power LDMOS RF Transistor de potencia
FMUSER Original BLF888A 600W 50V UHF Power LDMOS RF Power Transistor Descripción: Un transistor de potencia LDMOS RF de 600 W para aplicaciones de transmisores de difusión y aplicaciones industriales. La excelente robustez de este dispositivo lo hace ideal para aplicaciones de transmisores digitales y analógicos. Características ● Excelente robustez (VSWR ≥ 40: 1 en todas las fases) ● Comportamiento térmico y confiabilidad óptimos, Rth (jc) = 0.15 K / W ● Adecuado para aplicaciones CW UHF e ISM ● Alta ganancia de potencia ● Alta eficiencia ● Diseñado para operación de banda ancha (470 MHz a 860 MHz) ● Adaptación de entrada interna para alta ganancia y operación óptima de banda ancha ● Excelente confiabilidad ● Fácil
Detail
| Precio (dólares americanos) | Cantidad (PCS) | Envío (USD) | Total (USD) | Método de Envío | Pago |
| 296 | 1 | 0 | 296 | DHL |
FMUSER Original BLF888A 600 W 50 V Potencia UHF Potencia RF LDMOS Transistor
Descripción:
Un transistor de potencia RF 600 W LDMOS para aplicaciones de transmisor de difusión y aplicaciones industriales. La excelente robustez de este dispositivo lo hace ideal para aplicaciones de transmisores analógicos y digitales.
Caracteristicas
● Excelente robustez (VSWR ≥ 40: 1 en todas las fases)● Fiabilidad y comportamiento térmico óptimos, Rth (jc) = 0.15 K / W
● Adecuado para aplicaciones CW UHF e ISM
● De alta ganancia de potencia
● Alta eficiencia
● Diseñado para la operación de banda ancha (470 MHz a 860 MHz)
● Coincidencia de entrada interna para alta ganancia y operación de banda ancha óptima
● Excelente fiabilidad
● Control de potencia Fácil
● Cumple con la Directiva de restricción de sustancias peligrosas (RoHS) 2002/95 / EC
Aplicaciones
● Aplicaciones de transmisión de comunicación en la banda UHF.
● Aplicaciones industriales en la banda UHF.
parámetros
● Símbolo Parámetro Condiciones Min Tipo / Nombre: Max Unidad● Rango F rango de frecuencia: 470 860 MHz
● PL (1dB) potencia de salida nominal: con compresión de ganancia de 1 dB 600 IN
● Señal de prueba: DVB-T (8k OFDM)
● Gp ganancia de poder VDS = 50 V; f = 858MHz 20 dB
El d eficiencia de drenaje VDS = 50 V; f = 858 MHz; IDq = 1.3 A 31 %
● PL (AV) potencia de salida media VDS = 50 V; f = 858MHz 120 IN
● MDshldr distorsión de intermodulación atenuación del hombro f = 858 MHz [0] -31 dBc
● BY relación pico a promedio f = 858 MHz [1] 7.8 dB
● Tipo: Transistores discretos de potencia RF
● Frecuencia mínima: 0.47 GHz
● Frecuencia máxima: 0.86 GHz
● Potencia de salida: 600 W.
● Ganancia: 20 dB
● % Tipo de eficiencia: 58
● Tensión de alimentación: 50 V● Id: 1300 mA
● Ruta SOT-593A
● Proceso: LDMOS
| Precio (dólares americanos) | Cantidad (PCS) | Envío (USD) | Total (USD) | Método de Envío | Pago |
| 296 | 1 | 0 | 296 | DHL |
