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FMUSER Original MRF173CQ 28V 50mA 150MHz 80W RF Transistor de potencia Power MOSFET Transistor N-Channel
FMUSER Original MRF173CQ 28V 50mA 150MHz 80W RF Transistor de potencia Power MOSFET Transistor N-Channel Características: ● Número de pieza MRF173CQ ● Descripción FET RF 65V 150MHZ 316-01 ● Descripción detallada RF Mosfet N-Channel 28V 50mA 150MHz 13dB 80W 316-01, Estilo 2 ● Fichas técnicas MRF173CQ ● Información medioambiental Certificado RoHS ● Ficha técnica HTML MRF173CQ Descripción: ● Embalaje: Bandeja ● Estado de la pieza: Activo ● Tipo de transistor: Canal N ● Frecuencia: 150 MHz ● Ganancia: 13 dB ● Voltaje - Prueba: 28 V ● Clasificación de corriente (amperios) : 9A ● Figura de ruido: 1.5dB ● Corriente - Prueba: 50mA ● Potencia - Salida: 80W ● Volta
Detail
| Precio (dólares americanos) | Cantidad (PCS) | Envío (USD) | Total (USD) | Método de Envío | Pago |
| 79 | 1 | 0 | 79 | envío del correo aéreo |
FMUSER Original MRF173CQ 28V 50mA 150MHz 80W RF Transistor de potencia Power MOSFET Transistor N-Channel
Características:
● Número de parte MRF173CQ
● Descripción FET RF 65V 150MHz 316-01● Descripción detallada RF Mosfet Canal N 28V 50mA 150MHz 13dB 80W 316-01, Estilo 2
● Hojas de Datos MRF173CQ
● Información ambiental Certificado RoHS
● Hoja de datos HTML MRF173CQ
● Empaque : Bandeja
● Estado de la pieza: Active
● Tipo de transistor: Canal N
● Frecuencia: 150MHz
● Ganancia: 13dB
● Voltaje - Prueba: 28V
● Clasificación actual (amperios): 9A
● Figura de ruido: 1.5 dB
● Prueba actual: 50mA
● Potencia - Salida: 80W
● Voltaje - Clasificado: 65V
Aplicaciones:
Diseñado para aplicaciones militares y comerciales de banda ancha hasta un rango de frecuencia de 200 MHz. El rendimiento de banda ancha, alta ganancia y alta potencia de este dispositivo hace posibles transmisores de estado sólido para transmisiones de FM o bandas de frecuencia de canales de TV, modo de mejora de N-Channel MOSFET
parámetros:
MOSFET de modo de mejora de canal N
● Rendimiento garantizado a 150 MHz, 28 V:
Potencia de salida = 80 W
Ganancia = 11 dB (13 dB típ.)
Eficiencia = 55% Min. (60% típ.)
● Baja resistencia térmica
● Resistencia probada a potencia de salida nominal
● Troquel pasivado de nitruro para mejorar
● ed confiabilidad
● Factor de ruido bajo - 1.5 dB típ. a 2.0 A, 150 MHz
● Excelente estabilidad térmica; adecuado para operación de Clase A
| Precio (dólares americanos) | Cantidad (PCS) | Envío (USD) | Total (USD) | Método de Envío | Pago |
| 79 | 1 | 0 | 79 | envío del correo aéreo |
