FUMSER Original MRF154 Radiofrecuencia Óxido de metal Semiconductor Transistor de efecto de campo-Transistor de RF-FMUSER Transmisión de FM / TV Proveedor integral

FUMSER Original MRF154 Transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico de radiofrecuencia Descripción: - Categoría de producto: Transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico de RF (RF MOSFET) - Polaridad del transistor: Canal N - Tecnología: Si - Corriente de drenaje continua id: 60 A --Vds-Tensión de ruptura de la fuente de drenaje: 125 V - Ganancia: 17 dB - Potencia de salida: 600 W - Temperatura mínima de funcionamiento: -65 C - Temperatura máxima de trabajo: + 150 C - Paquete / Caja : 368-3 - Configuración: Única - Frecuencia de funcionamiento: 80 MHz - Tipo: RF Power MOSFET - Marca comercial: MACOM - Disipación de potencia PD: 1.35 kW - Tipo de producto: Transistores RF MOSFET - Cantidad de embalaje de fábrica : 1 --Subcategoría: MOSFETs --Vgs-gate-source voltage: 40 V --Vgs th- gat

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Transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico de radiofrecuencia original MRF154 de FUMSER

Descripción:

- Categoría de producto: Transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico de RF (RF MOSFET)
- Polaridad del transistor: canal N
- Tecnología: Si
- Corriente de drenaje id-continua: 60 A
--Vds-Tensión de ruptura de la fuente de drenaje: 125 V
- Ganancia: 17 dB
- Potencia de salida: 600 W
- Temperatura mínima de funcionamiento: -65 C
- Temperatura máxima de trabajo: + 150 C
--Paquete / Caja: 368-3
--Configuración: Individual
- Frecuencia de funcionamiento: 80 MHz
--Tipo: MOSFET de potencia RF
- Marca registrada: MACOM
- Disipación de potencia de PD: 1.35 kW
- Tipo de producto: transistores RF MOSFET
- Cantidad de embalaje de fábrica: 1
- Subcategoría: MOSFET
- Voltaje Vgs-puerta-fuente: 40 V
--Vgs th- voltaje umbral puerta-fuente: 3 V
- Peso unitario: 122.795 g

Características:
- MOSFET de modo de mejora de canal N
- Características especificadas de 50 voltios, 30 MHz - Potencia de salida = 600 vatios, ganancia de potencia = 17 dB (típico), eficiencia = 45% (típico)
- Frecuencia mínima: 2 MHz
- Frecuencia máxima: 100 MHz
- Salida: 600 W
- Ganancia: 17 dB
- Eficiencia: 45%

Aplicaciones:
- Aeroespacial y Defensa
--ISMO

El paquete incluye:

1 * transistor MRF154