FMUSER 1pcs Original Nuevo MRF6VP3450H Lateral N-Channel Banda ancha RF Power MOSFET Transistor-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop Proveedor

FMUSER 1pcs Original Nuevo MRF6VP3450H Transistor MOSFET de potencia RF de banda ancha de canal N lateral Descripción: Diseñado para aplicaciones comerciales e industriales de banda ancha con frecuencias de 470 a 860 MHz. La alta ganancia y el rendimiento de banda ancha de estos dispositivos los hacen ideales para aplicaciones de amplificadores de fuente común de gran señal en equipos transmisores de televisión analógicos o digitales de 50 voltios. --DVB típico - T OFDM Rendimiento: --VDD = 50 Voltios, IDQ = 1400 mA, --Pout = 90 Watts Promedio, f = 860 MHz, Modo 8K, 64 QAM --Power Gain ： 22.5 dB - Eficiencia de drenaje: 28% --ACPR a 4 MHz de compensación - 62 dBc a 4 kHz de ancho de banda - Rendimiento típico de dos tonos de banda ancha: --VDD = 50 voltios, IDQ = 1400 mA, --Po

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FMUSER 1 Uds Original nuevo MRF6VP3450H lateral N-canal de banda ancha RF transistor MOSFET de potencia

Descripción:
Diseñado para aplicaciones comerciales e industriales de banda ancha con frecuencias de 470 a 860 MHz. La alta ganancia y El rendimiento de banda ancha de estos dispositivos los hace ideales para aplicaciones de amplificadores de fuente común de gran señal en 50 voltios. Equipos transmisores de televisión analógicos o digitales.

--Rendimiento típico de DVB - T OFDM:
--VDD = 50 voltios, IDQ = 1400 mA,
--Pout = Promedio de vatios 90, f = 860 MHz, Modo 8K, 64 QAM
--Ganancia de potencia: 22.5 dB
--Eficiencia de drenaje: 28%
--ACPR a 4 MHz de compensación: 62 dBc a 4 kHz de ancho de banda

--Rendimiento típico de banda ancha de dos tonos:
--VDD = 50 voltios, IDQ = 1400 mA,
--Puchero = 450 Watts PEP, f = 470-860 MHz
--Ganancia de potencia: 22 dB
--Eficiencia de drenaje: 44%
--IM3: -29 dBc

--Capaz de manejar VSWR 10: 1, todos los ángulos de fase, @ 50 Vdc, 860 MHz: 450 Watts CW
--90 vatios promedio (Señal DVB - T OFDM, 10 dB PAR, ancho de banda de canal de 7.61 MHz)

Caracteristicas:
--Caracterizado con parámetros de impedancia de señal grandes equivalentes en serie
--Entrada combinada internamente para facilitar su uso
--Calificado hasta un máximo de la operación 50 VDD
--Integrado Protección ESD
--Diseñado para la operación de empujar y tirar

--Mayor puerta negativa: rango de voltaje de la fuente para un funcionamiento mejorado de clase C

--RoHS
--En cinta y carrete. Sufijo R6 = 150 Unidades por 56 mm, carrete 13 pulgadas.
--Sufijo R5 = Unidades 50 por 56 mm, carrete 13 pulgadas.

El paquete incluye:

1 * transistor MRF6VP3450H