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MRFX1K80H: 1800 W CW sobre 1.8-400 MHz, transistor LDMOS de potencia RF de banda ancha de 65 V

Descripción

El MRFX1K80H es el primer dispositivo basado en la nueva tecnología LDMOS de 65 V que se centra en la facilidad de uso. Este transistor de alta robustez está diseñado para su uso en alta VSWR para aplicaciones industriales, científicas y médicas, así como para radio y TV VHF aplicaciones de radiodifusión, aeroespacial y móvil sub-GHz. Su entrada incomparable y El diseño de salida permite un amplio rango de frecuencias de 1.8 a 400 MHz.El MRFX1K80H es compatible con pines (mismo PCB) con su versión de plástico MRFX1K80N, con MRFE6VP61K25H y MRFE6VP61K25N (1250 W @ 50 V), y con MRF1K50H y MRF1K50N (1500 W a 50 V).

Caracteristicas
●Basado en la nueva tecnología LDMOS de 65 V, diseñada para facilitar su uso
●Caracterizado de 30 a 65 V para el rango de potencia extendido
●Entrada y salida inigualables
●Alto voltaje de ruptura para mayor confiabilidad y arquitecturas de mayor eficiencia
●Capacidad de absorción de energía de avalancha de alta fuente de drenaje
●Gran robustez. Maneja 65: 1 VSWR.
●RoHS

●Opción de menor resistencia térmica en el paquete de plástico sobremoldeado: MRFX1K80N

Aplicaciones

● Industrial, científico, médico (ISM)
● Generación de láser
● Generación de plasma
● Aceleradores de partículas
● MRI, ablación por RF y tratamiento de la piel.
● Sistemas industriales de calentamiento, soldadura y secado.
● Transmisión de radio y TV VHF
● Aeroespacial
● Comunicaciones HF

● Radar

El paquete incluye

1xMRFX1K80H Transistor LDMOS de potencia RF

 

 

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