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TRANSISTOR MOSFET DE POTENCIA RF MRFE6VP5300N

 MRFE6VP5300N TRANSISTOR DE MOSFET DE POTENCIA RF Descripción Estos dispositivos de alta resistencia, MRFE6VP5300NR1 y MRFE6VP5300GNR1, están diseñados para su uso en aplicaciones industriales de alta VSWR (incluidos excitadores de láser y plasma), radiodifusión (analógica y digital), aeroespacial y móviles de radio / tierra. Son diseños de entrada y salida inigualables que permiten una amplia gama de frecuencias de utilización, entre 1.8 y 600 MHz. Características ● Amplio rango de frecuencia de funcionamiento ● Resistencia extrema ● Entrada y salida inigualables que permiten una amplia gama de frecuencias de utilización ● Mejoras de estabilidad integradas ● Baja resistencia térmica ● Circuitos de protección ESD integrados ● Cumple con RoHS ● En cinta y carrete. Sufijo R1 = 500 unidades, 44 mm de ancho de cinta, carrete de 13 pulgadas. Paramétricos clave

Detail

Precio (dólares americanos) Cantidad (PCS) Envío (USD) Total (USD) Método de Envío Pago
135 1 0 135 DHL

 



 MRFE6VP5300N  TRANSISTOR MOSFET DE POTENCIA RF


Descripción

Estos dispositivos de alta resistencia, MRFE6VP5300NR1 y MRFE6VP5300GNR1, están diseñados para su uso en aplicaciones industriales de alta VSWR (incluidos excitadores de láser y plasma), radiodifusión (analógica y digital), aeroespacial y de radio / tierra móvil. Son diseños de entrada y salida inigualables que permiten una amplia gama de frecuencias de utilización, entre 1.8 y 600 MHz.

Caracteristicas
Amplio rango de frecuencia de funcionamiento
Robustez extrema
Incomparable entrada y salida que permite la utilización de rango de frecuencia amplia
Mejoras de estabilidad integradas
Baja resistencia térmica
Circuito integrado de protección ESD
RoHS
En cinta y carrete. Sufijo R1 = Unidades 500, ancho de cinta 44 mm, carrete 13-inch.

Parametría clave
Frecuencia (mínima) 1.8 (MHz)
Frecuencia (máx.) 600 (MHz)
Voltaje de suministro (típico) 50 (V)
P1dB (típico) 54.8 (dBm)
P1dB (típico) 300 (W)
Potencia de salida (típica) (W) @ nivel de intermodulación en la señal de prueba 300.0 @ CW
Prueba de señal CW
Ganancia de potencia (típica) 25.0 @ 230 (dB) @ f (MHz)
Eficiencia (tipo) 70 (%)

Resistencia térmica (especificación) 0.22 (℃ / W)




El paquete incluye

1x MRFE6VP5300N   RF Transistor



 

 

Precio (dólares americanos) Cantidad (PCS) Envío (USD) Total (USD) Método de Envío Pago
135 1 0 135 DHL

 

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