FMUSER Original Nuevo MRF6VP11KH RF Transistor de potencia Power MOSFET Transistor-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast Proveedor integral

FMUSER Original Nuevo MRF6VP11KH Transistor de potencia RF Transistor MOSFET de potencia FMUSER MRF6VP11KHR6 está diseñado principalmente para aplicaciones de banda ancha pulsada con frecuencias de hasta 150 MHz. El dispositivo es incomparable y es adecuado para su uso en aplicaciones industriales, médicas y científicas. Características Rendimiento pulsado típico a 130 MHz: VDD = 50 Voltios, IDQ = 150 mA, Pout = 1000 vatios pico (200 W promedio), ancho de pulso = 100 µseg, ciclo de trabajo = 20% de ganancia de potencia: 26 dB Eficiencia de drenaje: 71 % De capacidad para manejar VSWR 10: 1, @ 50 Vdc, 130 MHz, 1000 vatios de potencia máxima caracterizada con parámetros de impedancia de señal grande equivalentes en serie Capacidad de operación de CW con refrigeración adecuada Calificada hasta un máximo de 50 VDD Funcionamiento Protección ESD integrada

Detail

Anterior:FMUSER Original Nuevo D1029UK RF Transistor de potencia Transistor MOSFET de potencia MOSFET dual de canal N, 35 A, 70 V, 5 pines DR D1029UK

Siguiente:FMUSER Original nuevo MRF6V2150NB SMD RF transistor de potencia tubo de alta frecuencia módulo de amplificación de potencia transistor MOSFET de potencia

Precio (dólares americanos)	Cantidad (PCS)	Envío (USD)	Total (USD)	Método de Envío	Pago
215	1	0	215	DHL
				DHL

FMUSER Original nuevo MRF6VP11KH RF Transistor de potencia Transistor MOSFET de potencia

FMUSER MRF6VP11KHR6 está diseñado principalmente para aplicaciones de banda ancha pulsada con frecuencias de hasta 150 MHz. El dispositivo es incomparable y es adecuado para su uso en aplicaciones industriales, médicas y científicas.

Caracteristicas

Rendimiento pulsado típico a 130 MHz: VDD = 50 voltios, IDQ = 150 mA, pout = 1000 vatios pico (200 W promedio), ancho de pulso = 100 µseg, ciclo de trabajo = 20%
Ganancia de potencia: 26 dB
Escurrir Eficiencia:% 71
Capaz de manejar 10: 1 VSWR, @ 50 Vdc, 130 MHz, 1000 Watts Peak Power
Caracterizado con parámetros de impedancia de señal grande equivalente de la serie
Capacidad de operación de CW con enfriamiento adecuado
Calificado hasta un máximo de la operación 50 VDD
Integrado Protección ESD
Diseñado para la operación Push-Pull
Mayor rango de voltaje negativo de puerta-fuente para operación mejorada de clase C
RoHS
En cinta y carrete. Sufijo R6 = 150 unidades por 56 mm, carrete de 13 pulgadas

Especificaciones

Tipo de transistor: LDMOS
Tecnología: Si
Industria de aplicaciones: ISM, Broadcast
Aplicación: científica, médica
CW / Pulso: CW
Frecuencia: 1.8 a 150 MHz
Potencia: 53.01 dBm
Potencia (W): 199.99 W
P1dB: 60.57dBm
Potencia de salida máxima: 1000 W
Ancho pulsado: 100 us
Duty_Cycle: 0.2
Ganancia de potencia (Gp): 24 a 26 dB
Retorno de entrada: Pérdida: -16 a -9 dB
VSWR: 10.00: 1
Polaridad: canal N
Voltaje de suministro: 50 V
Voltaje umbral: 1 a 3 Vcc
Voltaje de ruptura - Drenaje-Fuente: 110 V
Voltaje - Puerta-Fuente: (Vgs): - 6 a 10 Vdc
Eficiencia de drenaje: 0.71
Corriente de drenaje: 150 mA
Impedancia Zs: 50 ohmios
Resistencia térmica: 0.03 ° C / W
Paquete: Tipo: Brida
Embalaje: CASE375D - 05 ESTILO 1 NI - 1230--4
RoHS: Sí
Temperatura de funcionamiento: 150 grados C
Temperatura de almacenamiento: -65 a 150 grados C