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FMUSER Original nuevo MRF6V2150NB SMD RF transistor de potencia tubo de alta frecuencia módulo de amplificación de potencia transistor MOSFET de potencia
FMUSER Original Nuevo MRF6V2150NB SMD RF Transistor de potencia Tubo Módulo de amplificación de potencia de tubo de alta frecuencia Transistor MOSFET de potencia FMUSER original nuevo MRF6V2150NB Transistor de potencia RF Transistor MOSFET de potencia diseñado principalmente para aplicaciones de controlador y salida de señal grande de banda ancha con frecuencias de hasta 450 MHz. Los dispositivos son incomparables y son adecuados para su uso en aplicaciones industriales, médicas y científicas Detalles del producto: Número de pieza: MRF6V2150NB Descripción: MOSFET de potencia de RF de banda ancha de un solo extremo de canal N lateral, 10-450 MHz, 150 W, 50 V Características: Rendimiento típico de CW a 220 MHz: VDD = 50 Voltios, IDQ = 450 mA, Pout = 150 Watts Pow
Detail
Precio (dólares americanos) | Cantidad (PCS) | Envío (USD) | Total (USD) | Método de Envío | Pago |
89 | 1 | 0 | 89 | envío del correo aéreo |
FMUSER Original Nuevo MRF6V2150NB SMD RF Power Transistor Tube Módulo de amplificación de potencia de tubo de alta frecuencia Transistor MOSFET de potencia
FMUSER original nuevo MRF6V2150NB Transistor de potencia RF Transistor MOSFET de potencia ddiseñado principalmente para aplicaciones de controlador y salida de señal grande de banda anchacon frecuencias de hasta 450 MHz. Los dispositivos son incomparables y son adecuados parauso en aplicaciones industriales, médicas y científicas
Detalles del producto:
Pnúmero de arte: MRF6V2150NB
Características:
Rendimiento típico de CW a 220 MHz: VDD = 50 Voltios, IDQ = 450 mA, Pout = 150 Watts
Ganancia de potencia: 25.5 dB
Eficiencia de drenaje: 69%
Capaz de manejar VSWR 10: 1, @ 50 Vdc, 210 MHz, 150 Watts Potencia de salida
Integrado Protección ESD
Excelente estabilidad térmica
Facilita técnicas de modulación, ALC y control de ganancia manual
Paquete de plástico apto para 225 ° C
RoHS
Parametros generales:
Temperatura de almacenamiento: -65 a 150 grados
1xMRF6V2150NB Transistor de potencia de RF
Precio (dólares americanos) | Cantidad (PCS) | Envío (USD) | Total (USD) | Método de Envío | Pago |
89 | 1 | 0 | 89 | envío del correo aéreo |