El FMUSER Original MRF151 To-59 Tubo de alta frecuencia 150 W, 50 V, 175 MHz MOSFET de banda ancha de canal N RF Potencia Transistor de efecto de campo-Transistor RF-FMUSER Transmisión de FM / TV Proveedor integral

El FMUSER Original MRF151 To-59 Tubo de alta frecuencia 150 W, 50 V, 175 MHz Transistor de efecto de campo de potencia RF MOSFET de banda ancha de canal N

El FMUSER Original MRF151 To-59 Tubo de alta frecuencia 150 W, 50 V, 175 MHz N-Channel MOSFET de banda ancha RF Power Field-Effect Transistor Descripción general Los dispositivos de la serie MRF son transistores RF bipolares de 1 MHz a 3.5 GHz de alto rendimiento. Estos transistores bipolares Tech son ideales para aviónica, comunicaciones, radar y aplicaciones industriales, científicas y médicas. Los dispositivos de la serie MRF forman parte de una amplia gama de transistores de potencia de RF que también incluye amplificadores de paleta, transistores TMOS y DMOS y transistores LDMOS. Características ● Rendimiento garantizado a 30 MHz, 50 V: ● Potencia de salida: 150 W ● Ganancia: 18 dB (22 dB típico) ● Eficiencia: 40% ● Rendimiento típico a 175 MHz, 50 V: ● Ou

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El tubo de alta frecuencia FMUSER Original MRF151 To-59

Transistor de efecto de campo de potencia de RF MOSFET de banda ancha de canal N de 150 W, 50 V, 175 MHz

General

Los dispositivos de la serie MRF son transistores de RF bipolares de alto rendimiento de 1MHz a 3.5GHz. Estos transistores bipolares Tech son ideales para aplicaciones de aviónica, comunicaciones, radar y aplicaciones industriales, científicas y médicas. Los dispositivos de la serie MRF son parte de una amplia gama de transistores de potencia de RF que también incluyen amplificadores de paletas, transistores TMOS y DMOS y transistores LDMOS.

Caracteristicas

● Rendimiento garantizado a 30 MHz, 50 V:
● Potencia de salida - 150 W
● Ganar - 18 dB (22 dB típico)
● Eficiencia - 40%
● Rendimiento típico a 175 MHz, 50 V:
● Potencia de salida - 150 W
● Ganar - 13 dB

● Baja resistencia térmica
● Robustez probada a la potencia de salida nominal
● Troquel pasivado de nitruro para mayor confiabilidad

Descripción

Transistores RF MOSFET 5-175MHz 150Watts 50Volt Gain 18dB. Diseñado para aplicaciones militares y comerciales de banda ancha en frecuencias de hasta 175 MHz. La alta potencia, la alta ganancia y el rendimiento de banda ancha de este dispositivo hacen posible los transmisores de estado sólido para las bandas de frecuencia de transmisión de FM o canales de TV.

Especificaciones

● Categoria de nuestros producto: Transistores RF MOSFET
● Polaridad del transistor: Canal N
● Id - Corriente continua de drenaje: 16 A
● Vds - Tensión de ruptura de la fuente de drenaje: 125 V
● Ganancia: 13 dB
● Potencia de salida: 150 W
● Temperatura de funcionamiento mínima: - 65C
● Temperatura máxima de funcionamiento: + 150C
● Estilo de montaje: SMD / SMT
● Paquete / Estuche: 221-11-3
● Embalaje: Bandeja
● Configuración: Individual
● Frecuencia de operación: 175 MHz
● Pd - Disipación de energía: 300 W
● Marca: Transistores RF MOSFET
● Cantidad de paquete de fábrica: 20
● Subcategoría: MOSFET
● Vgs - Voltaje de fuente de puerta: 40 V
● Vgs th - Voltaje de umbral de puerta-fuente: 3 V